無(wú)錫尚積半導(dǎo)體
江蘇省，無(wú)錫市
新吳區(qū)長(zhǎng)江南路 35-312號(hào)廠(chǎng)房
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公司介紹
無(wú)錫尚積半導(dǎo)體科技有限公司是一家專(zhuān)業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)自研設(shè)備的廠(chǎng)商，主營(yíng)設(shè)備包括金屬濺射沉積(PVD)，加強(qiáng)型等離子化學(xué)氣相沉積(PECVD)，等離子干法刻蝕(ETCH)三個(gè)領(lǐng)域，服務(wù)于為全球的功率器件(Power Device)，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、先進(jìn)封裝(Advanced Packaging)、化合物半導(dǎo)體(III-V)、射頻(RF)、集成電路(IC)客戶(hù)。設(shè)備具備優(yōu)異的重復(fù)性和穩(wěn)定性、低故障率、長(zhǎng)使用壽命、易操作維修。得到客戶(hù)的廣泛認(rèn)可。
尚積半導(dǎo)體的氧化釩(VOx) 薄膜沉積，RF領(lǐng)域薄膜電阻關(guān)鍵工藝如氮化鉭(TaN)等薄膜沉積，TC-SAW SiO2薄膜沉積，高真空吸氣薄膜(Getter)沉積，技術(shù)參數(shù)均超越進(jìn)口設(shè)備，在客戶(hù)端已經(jīng)量產(chǎn)，市占率遙遙領(lǐng)先。
在功率器件市場(chǎng)，尚積半導(dǎo)體正面Hot Al設(shè)備填孔平坦化能力優(yōu)異，深寬比做到3:1，超越進(jìn)口設(shè)備；背面金屬濺射BSM性能穩(wěn)定，產(chǎn)能是進(jìn)口設(shè)備近兩倍。特別是在SiC領(lǐng)域，市占率遙遙領(lǐng)先。
尚積半導(dǎo)體在IC領(lǐng)域積累了二十余年的豐富經(jīng)驗(yàn)，在高深寬比填孔、均勻性?xún)?yōu)化、應(yīng)力控制、薄膜的多樣性及復(fù)雜性等多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域有很深的造詣。
尚積半導(dǎo)體的PECVD和ETCH設(shè)備在MEMS、RF、Power等領(lǐng)域可以替代進(jìn)口設(shè)備，并提供更優(yōu)的工藝解決方案。
價(jià)值觀(guān)
尚積——尚德務(wù)實(shí)，積極進(jìn)取!
愿景
成為世界一流的半導(dǎo)體真空設(shè)備及先進(jìn)工藝的整合者。
使命
專(zhuān)注于半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域的核心裝備和關(guān)鍵工藝解決方案國(guó)產(chǎn)替代，并積極尋找并布局全新技術(shù)只做技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。
發(fā)展歷史
2008年，團(tuán)隊(duì)進(jìn)入MEMS領(lǐng)域
2008年, 團(tuán)隊(duì)進(jìn)入MEMS領(lǐng)域, 開(kāi)發(fā)出氧化釩薄膜濺射, 打破國(guó)外技術(shù)壟斷, 市占率遙遙領(lǐng)先
2012年, 團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出吸氣薄膜濺射
2012年, 團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出吸氣薄膜濺射, 打破國(guó)外技術(shù)壟斷, 成為該工藝國(guó)內(nèi)的國(guó)產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)商, 市占率遙遙領(lǐng)先.
2019年, 團(tuán)隊(duì)進(jìn)入功率器件領(lǐng)域
2019年, 團(tuán)隊(duì)進(jìn)入功率器件領(lǐng)域, 開(kāi)發(fā)出Hot Al填孔工藝金屬薄膜濺射, 成為該工藝國(guó)內(nèi)第一家國(guó)產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)商, 市占率遙遙領(lǐng)先.
2020年, 團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出SiC背面金屬薄膜濺射
2020年, 團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出SiC背面金屬薄膜濺射BSM, 成為該工藝國(guó)內(nèi)第一家國(guó)產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)商
2021年, 團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出Si背面金屬薄膜濺射
2021年, 團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出Si背面金屬薄膜濺射, 成為該工藝國(guó)內(nèi)少有的國(guó)產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)商, 性能優(yōu)于國(guó)內(nèi)友商.
2021年, 團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出RF領(lǐng)域的TaN Lift Off薄膜濺射, 成為該工藝國(guó)內(nèi)少有的國(guó)產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)商
2022年, 團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出濾波器TC-SAW領(lǐng)域
2022年, 團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出濾波器TC-SAW領(lǐng)域的HD SiO2薄膜濺射, 成為該工藝國(guó)內(nèi)少有的國(guó)產(chǎn)設(shè)備供應(yīng)商
2024年,團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出300mm PVD和CVD
2024年,團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出300mm PVD和CVD
核心團(tuán)隊(duì)
尚積半導(dǎo)體自主培養(yǎng)核心團(tuán)隊(duì)平均從業(yè)年資超過(guò)20年，長(zhǎng)期深耕半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)，有海內(nèi)外工作背景，前瞻的國(guó)際視野及及設(shè)備制造的產(chǎn)業(yè)鏈資源。
